半导体器件基础
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《半导体器件基础(翻译版)》是2008年清华大学出版社出版的图书，作者是安德森、田立林。本反国答括丝书不仅是一本很好的教科书来自，也很适合作为微电子和接煤质相关领域的工程技术人员的参考书。
- 书名 半导体器件基础
- 作者 安德森、田立林
- 出版社 清华大学出版社
- 出版时间 2008年3月
- 定价 69.00
内容简介
《国外大学优秀教材·微电子类系列(翻译版)·半导体器件基础》不仅包括了量子力学、半导体物理和半导体的生即卷穿十灯器件(包括二极管、场效应晶体乙板此管、双极晶体管和光电器件)的基本工作原理等内容，还写进了现代半导体器件的最新进展以及器件的实际应用。例如:对于显著影响现代小尺寸器件电学特性的二级效应进行了分析和公式推导，给出了描述小尺寸器件特性的最新的数学表达式;考虑到异质结在场效应器件、双极器件和光电器件中的应用日益增加，书中对半导体异质结作了着重介绍;由于半导体制造设备和工艺技术的提来自高，"能带工程"得以实现，随之带来了器件性能的提高，所以《国外大学优秀教360百科材·微电子类系列(翻译版)·半导体器件基础》在重点介绍安编几刻每谁谁硅材料和硅器件的基础上，还介绍了化合物半导体器件、合金器件(如SiGe，AlGaAs)和异质结季快固约丝什探知团毫器件;《国外大学优秀教材·微电子类系列(翻译版)·机半导体器件基础》还利击老钢讨药夫买用电路分析程序SPICE对器件的I-V特性进行了模拟，对简单电路进行了稳态和瞬态分析。
作者Betty Lise Arldexs矛审宗息温映树所on博士是美国俄亥致谈同怕广俄州立大学工学院的电机工程教授，讲授多门本科生和研究生的课程。曾经在工业界工作过九年，有丰富的研究经验，目前正在从事用于通讯、雷达和信息处理的光子学器件研究。因此，与实际器件应用紧密结合也织是《半导体器件基的早无础(翻译版)》的一个特色。
编辑推荐
《国外大学优秀教材·微电子类系列(翻译版)·半导体器件基础》分为5个部分，共11章，全面介绍了半导体材料的基本性质和半导体器件的基本工作原理。从器件物理和工程应用的角度对现代半导体器件进行了全面的和注重实际的讲述。在内容方面，《国外大学优秀教材·微电子类系列(翻译版)·半导体器件基础》不仅介绍了量子力学、半导体物理功思内欢口右根采得临织和半导体器件(包括二极管、场效应晶体管、双极型晶体管和光电器件)的基本工作原理等内容，还包括现代半导体器件的最新进展以及器件的应用。《国外大学优秀教材·微电子类系列(翻译版)·半导体器件基础》在重点介绍举总期养振什言证讨否硅材料和硅器件的基础上，还介绍了化合物半导体器件、合金器件(如SiGe，AlGa下华田较抓鲁记A.)和异质结器件。跑女资占松作者特别强调对决定半导体材料和器件电学特性的物理过程的理解以及器件的实际应用移明室怎试。通过《国外大学优秀永密春继晶风教材·微电子类系列(翻译版)·半导体器件基础》学习，不仅可以系统地掌握审冷丰素具全器件物理原理，同时能够对先进的半导体器件技术有一个初步的了解，有利于今后进一步的学习和研究。
目录
译者序
前言
第1部分 半导践缩休材料
第1章 半导体中电子的来自能量和状态
第2章 均匀半导体
第3章 均匀半导体中的电流
第4章 非均匀半导体
第1部分补充360百科内容 材料
补充内容 1A 量采后功内修德济子力学介绍
补充内容 1B 关于材料的补充问题
第2部分 二极管
第5章 原型同质pn结
第6章 二极管的补充说明
第2部分补充内容:二极管
第3部分 场效应晶体管
第7章 MOSFET
第8章 FET的补充分析
第3部分补充内容:场效应晶体管
第4部分 双极结型晶体管
第9章 双极结型器件:静电学特性
第10章 双极晶体管的时变分析
第4部门阻云己了松敌分补充内容:双极器件
第5部分 光电器件
第11章 光点器件
附录
附录A 重要常数
附录B 符号表
附录C 制造
附录D 态密度函数，态密度有效质量，电导率有效质量
附录E 一些有用的积分公式
附录F 有用的公式
附录G 推荐阅读的文献
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