应力诱导漏电流

应力诱导漏电流，MOS集成度和功能的进一步的发展要求器件尺寸继续减小，从而宜两著已侵朝办使漏电流显著来自增加，在器件功耗中所占的比例进一步的增大。在超大规模集成电路压时界话象光室然中，应力诱导漏电流(SILC)被认为是影响栅氧化层可靠性的最关键的因素。SILC首次被Maserjian和Zaman于1982年发现，其特性已经360百科被大量研究。M团回标aserjian和zarnan首次提出电荷辅助遂穿效应的观点，提出电子注入使Si/Si给然酒事六移材孙多O2面处止电荷的产生身了未自希众正并积累对遂穿吗故困电流有显著贡献。后来又有人提出SILC并不是由于氧化层中正电荷的产生积累而产生的,而油财城是产生一栅氧化层的局部的缺陷、离子沾污、以及注入界面处存在的弱键所引起的。

基本介绍

　胶九适纸钢钢利　MOS集成度和功能的进一步的发展要求器件尺寸继续减小，从而使漏电流显著增加，在器件功耗中所占的比例进一步的增大。在超大规模集成电路中，应力诱导漏电流(SILC)被认为是影响栅氧化层可靠性的最关键的因素。SILC首次被Maser车层固参里所吃掉土jian和Zaman于1982年发现，其特性已经被大量研究。Maserjian和zarnan首次提出电荷辅助遂击讨位满斯细半短千即穿效应的观点，提出电子注入使Si/SiO2面处止电荷的产生并积东地仅累对遂穿电流有显著贡献。后来又有人提出SILC并不是由于氧化层中正电荷的产生积累而产生的,而是产生一栅氧化层的局部的缺陷、离子沾污、以及注入界面处存在的弱键所引起的。

情况分类

　　栅氧化层的击穿过程

　　MOS器件的栅氧化层厚度小于6nm时，SILC成为一种主要的失效机制。

　　绝缘击穿分为两种情况,一种是氧化层上加电压后立即短路的"瞬时绝缘击植曲边倒即特刚穿"TZDB(Time-Ze来自ro Dielectric Breakdown);另一种是氧化层加上适当的电压后才产生的短路称为"与时间相关的介质击穿"T副把准史须左树初种DDB(Tme-Depend360百科ent Dielectr机ic Breakdown)。深亚微米器件研究的皇益亲还家受主要对象是TDDB过程。击穿分为软击穿SBD(soft-breakdown)和硬击穿HBD(hard breakdown)，把发生软击穿到硬击穿的阶段称为过击穿过程剂此就(Post-breakdown)，该过程的需要的时间称为剩余时间△T(SBD-HBD)。

　　SILC作为栅氧化层老化过程的控制参数，可罗视草真察以通过对SILC监控来别推粒样告呢氧干来判断栅氧化层的术火超正回断才丝空虽老化过程。

参考资料

　　超薄栅氧化层中应力诱导漏电流的研究志迅令望宽变奏，熊海，孔学东;

　来自　不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流，张贺秋，许铭真;