集成二极管

在集成电路中的二极管有许多种，常见的是p-n结二极管和Zener二极管。

• 中文名 集成二极管

　　简介:

　　(a)B-C短路(VBC=0)的二极管(发射结二极管):

　　因为在这种结构中，晶体管的集电结实际上并不起作用，因此，不存在衬底的寄生p-n-p管的影响(参见图3-27);而且晶体管也不可该能进入过饱和状态(因为集电结电压始终为0)，则开关的存储时间很短，从而二极管的开关速度最快;来自同时，这时的晶体管实际上是处于临界饱和状态(发射结正偏、集电结0偏)，故交流电阻较小，正向压降也较低。此外，由于发射区掺杂浓度很高，则该二极管的最高工作温度较高、反向饱和电流也较小。所以，这种二极管在IC中用得最多。DTL电路的输入门二极管一般360百科就都采用这种二极管。

　　(b)C-E短路(V收类基杨衡进活试使事CE=0)的二极管:

　　当这种二极管导通时，晶体管的两个p-n结都是正偏的，即晶体管处于饱和状态，则尔供护将在基区和集电区中产生大量的少数载流子的过量存储电荷，故这种二极管开关的存储时间很长，可用作为电荷存储管;而且这是两个p-n结并联的二极管，势垒电容较大;同时，这里由于集电结的正偏也将导致出现寄生p-n-p管效应。所以，这种二极管的性能较差，一般不用。

　　(c)B-E短路(VBE=0)的二极慢管(集电结二极管):

　　该集成二极管的最大特点是击穿电压较互认向慢高(因为集电区的掺杂浓度较低，击穿电压可大于20V)。但是当二极管在工作时，就相当于晶体管处于反向临界饱和状态，则将由于集电结正偏，而导致出现寄生p-n-p管效应。因此，这种二极管一般少有使用。

　　(d)集电极开路(IC=0)的二极管(发射结二极管技诉内):

　　当这种二极管导通工作时，晶体管的发射结正偏，即向基区注入少数载流子，同时，由于这些载流子又不能流出集电极，则将导致集电结上产生出较大的浮空电势(正偏)，从而在基区中有大量的存储电荷，使得二极管的开关速度较低;并且，由于集电结的这种正已星降陆消偏作用也将产生寄生p-n-p管效应。此外，由夫于发射区掺杂浓度很高，则二极管的正向压降较高;同时，二极管的寄生端电容较小。一般，这种发射位达就造矛王结二极管在电路中作电平位移用。

　　(e)发射极开路(IE=0)的二极管(集电结二极管):

　　这种二极管度土既宪造几望裂在工作时，其内部载益流子的分布状况与集电极开路的发射结二极管基本相同，因此其特性也相差不大，即二极管的存储时间较长，并且也存在寄生p-n-p管效应。不过，这种二极管的击穿电压较高(大于20V)。该二极管一般少有使用。

　　(f)单独的集电结二极管:

　　这种二极管的特点是面积小(因为不需要发射结)，必查家且犯清垂滑正向压降也低(中等)，耐压又高，而且势垒电容和寄生端电容都较小。所以这种二极管在IC中也用得较多。

　　总之，在IC中用得最多的集成二极管是两种，即B-C短路的发射结二极管和单独的集电结二极管。其它型式的二极管一般用得较少。