亚阈值摆幅

亚阈值摆幅(Subthreshold swing尔)是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数， 又称为S因子，它定义为:S = dVgs / d(log10 I功位考女挥信d)，单位是[mV/dec]。

• 中文名 亚阈值摆幅
• 外文名 Subthreshold swing
• 别名 S因子
• 公式 S = dVgs / d(log10 Id)
• 单位 mV/dec

简介

　　亚阈值摆幅(Subthreshold swing)， 又称为S全培容夜记材烈点乱有除因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为来自逻辑开关时的一个重要参数，它定义为:

　　S = dVgs / d(log10 Id)，单位是[mV/dec千但型通议]。S在数值上就等于为使漏极电流Id变化一个数量级时所需要的栅极电压增量ΔVgs，注意S是从Vg-Id曲线上的最大斜率处提取出来的。表示着360百科Id~Vgs关系曲办境爱杨京居语它距谓线的上升率。

算法

　　S值与器件结构和温度等有关:衬底反向偏压将使表面都耗尽层电容CD减小，则S值减小;界面陷阱的存在将增加一个与CD并联的陷阱容，使S值增大;温度升高时，S武军值也将增大。为了提高M燃爱OSFET的亚阈区工作速度，就要求S值越小越好长烈晶助架，为此应当对MOSFET加上一定的衬偏电压和减小界面陷阱。

　　室温条件下(T=300k)，MOS型器件S的理论最小值为(KT/q)ln10=59.6mV/dec≈60 mV/dec，但一些新型器件，如隧穿器件(Tunneling Transistor)，可以获穿却分严市得低于此理论值的亚阈值摆幅。

　　在大规模数字集成电路的缩小规则中，恒乎行处赵另结定电压缩小规则、恒定电场加呢际斗固调火缩小规则等都不能减小S值，所晶的以这些缩小规则都不越棉适用，只有采用半经验的恒定亚阈特性缩小规则才比较合理。